眾所周知，靶材材料的技術發展趨勢與下游應用 產業的薄膜技術發展趨勢息息相關，隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化，陶瓷靶材的小編做了詳細的總結。
如Ic制造商．最近致力于低電阻率銅布線的開發， 預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發將刻不容緩。另外，近 年來平面顯示器（F P D）大幅度取代原 以陰極射線管（CRT）為主的屯腦顯示器及電視機市場．亦將人幅增 加ITO靶材的技術與市場需求。此外在存儲技術方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持 續增加． 這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應用領域，以及這些領域靶材發展的趨勢。
A、微電子領域
在所有應用產業中，半導體產業對靶材 I 濺射薄 膜的品質要求是最苛刻的?，F在12英寸 的 硅晶片已制造出來．而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和 細晶粒， 這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構.靶材的結晶粒子直徑和均勻性 已被認為是影響薄膜沉 積率的關鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關 系極大，過去99.995 %（4 N5） 純度的銅靶，或許能夠滿 足半導體廠商0.3 5pm 工藝的需求，但是卻無法滿 足 目前0.2 5um的工藝要求， 而未米的 0.18um 工藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達 到5甚至 6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更 低的電阻率，能夠滿足！ 導體工藝在0 .25um 以下 的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導 致在使過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋 層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50n m，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻 擋層用靶材包括 T a 、W、T a S i 、WS i 等 ．但是T a 、W 都是難熔金屬．制各相對困難，現在正在研究鉬、鉻 等的臺金作為替代材料。
B、平面顯示器用靶材
平面顯示器（FPD) 近年來大幅沖 以陰極射線管 (CRT) 為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求?，F在的1 T O靶材有兩種．一 種是采用納米狀態的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫臺金靶材可以采用 直流反應濺射制造 I T O薄膜，但是靶表面會氧化而影 響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材?，F在一般采剛第一種方法生產 I T O 靶材，利， L } I R F反應濺射鍍膜． 它具有沉積速度快．且能精確控制膜厚，電導率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優點 l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和 氧化錫不容易燒結在一起。一般采用 Z r O2 、B i 2 O 3 、 C e O 等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的 9 3 %~9 8 %的靶材，這種方式形成的 I T O薄膜的性能 與添加劑的關系極人。日本的科學家采用 Bi z o 作為 添加劑，B i 2 O3 在 8 2 0 C r 熔化，在 l 5 0 0℃的燒結
溫度超出部分已經揮發，這樣能夠在液相燒結條件下 得到比較純的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。采川 這樣的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率達到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近純的 I T O薄膜 的電阻率。F P D和導電玻璃的尺寸都相當火，導電玻璃的寬 度甚至可以達到 3 1 3 3 _ ，為了提高靶材的利用率，開發 了不同形狀的I T O靶材，如圓柱形等。2 0 0 0年，國家 發展計劃委員會、科學技術部在 《 當前優先發展的信 息產業重點領域指南》中， I T O大型靶材也列入其中。廣西柳州華錫公司和寧夏九0五集團已完成了ⅡD靶材的研究工作 ，即將投入生產。
C、存儲技術用靶材
在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發展，需要人鼉的巨磁阻薄膜材料，CoF ~Cu多層復合膜是 現在應朋展廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的 T b F e C o合金靶材還在進一步發展，用它制造的磁光 盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特 點?，F在開發山來的磁光盤，具有 T b F e C o / T a和 T b F e C o / Al 的 層復臺膜結構， T bF eCo/AI結構的Kerr 旋轉角達到5 8，而T b F e Co f F a 則可以接近0.8。經過研究發現， 低磁導率的靶材高交流局部放電電壓 l 抗電強度。
基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，不過,在實現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一,便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數據帶寬,這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。
